NPN管TTL电路分析的时候，管子的饱和导通，该怎么判断？怎么排除是放大状态？

更新时间2019-01-02 23:28:30

是估算每个管子的B,C,E 极的电位然后根据VBC大于0和VBE大于0.7V来判断？还是计算基极电流IB，大于vcc/βRc时，定为饱和？后者β在TTL电路图里常常没有给出，因此后者是没办法采用的，只能采用前者吗？

你说的TTL电路暂定义为单个与或非门电路。假设vcC=10V，假负载电阻5K。集成内部电路即使在显微镜下也是无法测量的，通常采用外部检测的方法，也叫接口检测，在输入端加入7V或1V，相当开合关的信号。用假负载接在输出端，接上电表。

输出电压法，因为当TTL电路内部的晶体管出现截止，输出略小于10V，当电路内部出现饱和，输出电压约0.7V。

输出电流法，当TTL电路内部的晶体管截止，输出电流小于2MA，当TTL电路出现饱和，输出的电流基本为零。

有例外，输出TTL端口需外部电压（灌入），如555电路。

让输入高电位设计只要大于5V，就是高电位，尽量高点，但小于VCC。低电位设计上限一般为1.5V，那么尽量接近0V，输入信号的上升时间要尽量小，这样可以排除信号可能的干扰。

如果差距大，说明TTL电路内部出现电阻状态（放大），如果描述接近，那么TTL电路在开关状态。